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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > HN1D04FUTE85LF
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289974HN1D04FUTE85LF-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HN1D04FUTE85LF
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    US6
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.6ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    HN1D04FU(TE85L,F)
    HN1D04FUTE85LFTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    2 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 2 Pair Series Connection Standard 80V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100mA
HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Beschreibung: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

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