Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > RN1961FE(TE85L,F)
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3939946RN1961FE(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1961FE(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1961FE(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ES6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    RN1961FE(TE85LF)TR
    RN1961FETE85LF
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RN1961FE(TE85L,F)" -Einziper.
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.