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RN1963(TE85L,F)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1963(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1963(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

RN1963(TE85LF)TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1963(TE85L,F)" -Einziper.

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1910FE,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1964TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1911FETE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1962TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

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RN1969FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

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