RN1910,LF(CT

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1910,LF(CT
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1910,LF(CT.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

RN1910(T5LFT)DKR
RN1910(T5LFT)DKR-ND
RN1910LF(CTDKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1910,LF(CT" -Einziper.

RN1910FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1910,LF(CT

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