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4831731RN1910FE,LF(CT-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE,LF(CT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1910FE,LF(CT
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1910FE,LF(CT.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ES6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    RN1910FE,LF(CB
    RN1910FELF(CTTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1907,LF

RN1907,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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vorrätig
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RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

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RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1911(T5L,F,T)

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