RN2712JE(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2712JE(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2712JE(TE85L,F).pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Supplier Device-Gehäuse

ESV
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

-
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-553
Andere Namen

RN2712JE(TE85LF)TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN2712JE(TE85L,F)" -Einziper.

RN2903,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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