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3520516RN2901(T5L,F,T)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2901(T5L,F,T)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    US6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    RN2901(T5LFT)TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2903-I/RM095

RN2903-I/RM095

Beschreibung: RF TXRX MODULE ISM<1GHZ SMA ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2903A-I/RM098

RN2903A-I/RM098

Beschreibung: RF MODULE

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2902,LF

RN2902,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2903,LF(CT

RN2903,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2903,LF

RN2903,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2902FE,LF(CT

RN2902FE,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

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