SSM3J15FU,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J15FU,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 0.1A USM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3J15FU,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.7V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

USM
Serie

π-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 Ohm @ 10mA, 4V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

SSM3J15FULFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100mA (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3J15FU,LF" -Einziper.

SSM3J15FV,L3F

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3J15FU,LF

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