SSM3J168F,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J168F,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3J168F,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

S-Mini
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SSM3J168F,LF(B
SSM3J168FLF
SSM3J168FLF(B
SSM3J168FLF-ND
SSM3J168FLFTR
Betriebstemperatur

150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

82pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

400mA (Ta)

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SSM3J331R,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3J168F,LF

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