SSM3J306T(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3J306T(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3J306T(TE85L,F).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TSM
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

SSM3J306T(TE85LF)DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 15V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 2.4A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.4A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3J306T(TE85L,F)" -Einziper.

SSM3J15FV,L3F

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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