SSM6N7002BFU(T5L,F

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6N7002BFU(T5L,F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf
2.SSM6N7002BFU(T5L,F.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

US6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Leistung - max

300mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SSM6N7002BFU(T5LFDKR
SSM6N7002BFULF(TDKR
SSM6N7002BFULF(TDKR-ND
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA
Basisteilenummer

SSM6N7002

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Das Folgende sind "SSM6N7002BFU(T5L,F" -Einziper.

SSM6N7002BFU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6N7002BFU(T5L,F

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