SSM6P16FE(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6P16FE(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM6P16FE(TE85L,F).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ES6
Serie

π-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SSM6P16FE(TE85LF)DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 3V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100mA (Ta)

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Das Folgende sind "SSM6P16FE(TE85L,F)" -Einziper.

SSM6N7002BFE,LM

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM6P16FE(TE85L,F)

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