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SSM6P35FE(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM6P35FE(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SSM6P35FE(TE85L,F).pdf
2.SSM6P35FE(TE85L,F).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

ES6 (1.6x1.6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 50mA, 4V
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SSM6P35FE(TE85LF)TR
SSM6P35FETE85LF
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12.2pF @ 3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100mA
Basisteilenummer

SSM6P35

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Das Folgende sind "SSM6P35FE(TE85L,F)" -Einziper.

SSM6N7002CFU,LF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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