TK12A60U(Q,M)

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Spezifikation

Artikelnummer

TK12A60U(Q,M)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TK12A60U(Q,M).pdf
2.TK12A60U(Q,M).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

DTMOSII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

35W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK12A60U(Q)
TK12A60U(Q)-ND
TK12A60U(QM)
TK12A60UQ-ND
TK12A60UQM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta)

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Das Folgende sind "TK12A60U(Q,M)" -Einziper.

TK12E60W,S1VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK12A60U(Q,M)

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