TK12E60W,S1VX

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Spezifikation

Artikelnummer

TK12E60W,S1VX
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK12E60W,S1VX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 600µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 5.8A, 10V
Verlustleistung (max)

110W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.5A (Ta)

Das Folgende sind "TK12E60W,S1VX" -Einziper.

TK13A55DA(STA4,QM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK13A45D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK12V60W,LVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TK1305800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)

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TK13A50DA(STA4,Q,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TK12A45D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TK12A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK12Q60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK12E80W,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK12A53D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK12A60D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK1205800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)

vorrätig

RFQ

TK12J60U(F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK12A60U(Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK12A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK12A80W,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK13A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK12A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK12A50E,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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RFQ

TK12P60W,RVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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