TK12A60W,S4VX

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Spezifikation

Artikelnummer

TK12A60W,S4VX
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK12A60W,S4VX.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 600µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 5.8A, 10V
Verlustleistung (max)

35W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.5A (Ta)

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Das Folgende sind "TK12A60W,S4VX" -Einziper.

TK12A60D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK12A60W,S4VX

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