TPC8014(TE12L,Q,M)

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8014(TE12L,Q,M)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPC8014(TE12L,Q,M).pdf
2.TPC8014(TE12L,Q,M).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta)

Das Folgende sind "TPC8014(TE12L,Q,M)" -Einziper.

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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