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TPC8026(TE12L,Q,M)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC8026(TE12L,Q,M)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
    2.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    13A (Ta)

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TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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