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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > TPC8.2HM3/86A
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6683218TPC8.2HM3/86A-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8.2HM3/86A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC8.2HM3/86A
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TPC8.2HM3/86A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    7.38V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    6.63V
  • Spannung - Durchschlag
    TO-277A (SMPC)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, PAR®, eSMP®
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Ripple Current - Low Frequency
    Automotive
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    120A
  • Polarisation
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 185°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    TPC8.2HM3/86A
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    12.5V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "TPC8.2HM3/86A" -Einziper.
TPC7.5AHM3_A/I

TPC7.5AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC7.5AHM3/86A

TPC7.5AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8.2AHM3/86A

TPC8.2AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC7.5AHM3_A/H

TPC7.5AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC7.5HM3/86A

TPC7.5HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
TPC7.5HM3/87A

TPC7.5HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPC7.5AHM3/87A

TPC7.5AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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