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Einführung

SemiQ - Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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Kategorie
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373

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GP2M007A065HG

GP2M007A065HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GDP08S120A

GDP08S120A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD060A004S1-D3

GSXD060A004S1-D3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXF060A060S1-D3

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Beschreibung: DIODE FAST REC 600V 60A SOT22

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D020A060U

GP2D020A060U

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GCMS080A120B3C1

GCMS080A120B3C1

Beschreibung: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GDP60Z120E

GDP60Z120E

Beschreibung: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GCMS010A120S7B1

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Beschreibung: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD060A010S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D012A060A

GP2D012A060A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GHXS050A170S-D3

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Beschreibung: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXF120A040S1-D3

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Beschreibung: DIODE FAST REC 400V 120A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD050A006S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D008A120A

GP2D008A120A

Beschreibung: SCHOTTKY DIODE 1200V 8A TO-220-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M006A065FH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A050PG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXF060A120S1-D3

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Beschreibung: DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GHXS045A120S-D4

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Beschreibung: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD050A015S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD080A020S1-D3

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Beschreibung: DIODE 200V 80A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GCMS080A120S1-E1

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Beschreibung: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D008A120C

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Beschreibung: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GHIS030A060B1P2

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M011A050H

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GHIS030A060B2P2

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M003A050PG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GDP60D120B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227

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Beschreibung: IGBT 600V 80A 231W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE FAST REC 400V 30A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M009A020FG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227

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GP1M005A040PG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M009A090FH

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D010A060A

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Beschreibung: SCHOTTKY DIODE 600V 10A TO-220-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M009A020CG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSXD050A004S1-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D020A060B

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Beschreibung: SCHOTTKY DIODE 600V 20A TO-247-2

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GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D030A060B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2

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GP1M005A050HS

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

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GHXS030A120S-D3

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Beschreibung: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

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