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220244

GP1M011A050H-Bild.

Global Power Technologies Group

GP1M011A050H

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M011A050H
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 11A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M011A050H.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

670 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

158W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

1560-1179-1
1560-1179-1-ND
1560-1179-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1423pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 11A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M011A050H" -Einziper.

GP1M011A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M012A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M015A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M016A025FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090N

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M016A025HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M012A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M013A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M015A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080N

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M013A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

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