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40778103LP01S-TL-E-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LP01S-TL-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    3LP01S-TL-E
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    3LP01S-TL-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMCP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.4 Ohm @ 50mA, 4V
  • Verlustleistung (max)
    150mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    3LP01S-TL-EOSCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7.5pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.43nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SMCP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100mA (Ta)

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Das Folgende sind "3LP01S-TL-E" -Einziper.
3LP01S-K-TL-E

3LP01S-K-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN2058U-13

DMN2058U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
3LP01C-TB-E

3LP01C-TB-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LP01SS-TL-EX

3LP01SS-TL-EX

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V SOT-623

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LP01SS-TL-E

3LP01SS-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF7233TR

IRF7233TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
3LP01C-TB-H

3LP01C-TB-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FQU3N60TU

FQU3N60TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN3025LFG-7

DMN3025LFG-7

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AOD7S65

AOD7S65

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
3LP01M-TL-E

3LP01M-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
STWA88N65M5

STWA88N65M5

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 84A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SPP100N06S2L-05

SPP100N06S2L-05

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STL80N4LLF3

STL80N4LLF3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
3LP01M-TL-H

3LP01M-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTMSD3P102R2SG

NTMSD3P102R2SG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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