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NTMSD3P102R2SG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMSD3P102R2SG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMSD3P102R2SG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

FETKY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.05A, 10V
Verlustleistung (max)

730mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.34A (Ta)

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Das Folgende sind "NTMSD3P102R2SG" -Einziper.

NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD6N303R2G

NTMSD6N303R2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS4939NR2G

NTMS4939NR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD3P102R2

NTMSD3P102R2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD3P303R2G

NTMSD3P303R2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD6N303R2SG

NTMSD6N303R2SG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS4P01R2

NTMS4P01R2

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS4937NR2G

NTMS4937NR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS7N03R2

NTMS7N03R2

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD2P102LR2

NTMSD2P102LR2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD2P102R2

NTMSD2P102R2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NTMSD3P102R2G

NTMSD3P102R2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

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