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NTMSD6N303R2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NTMSD6N303R2
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    NTMSD6N303R2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    NTMSD6N303R2OS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 24V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Schottky Diode (Isolated)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Ta)

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NTMSD6N303R2SG

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NTMS5835NLR2G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

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NTMSD2P102LR2G

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NTMS7N03R2

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