Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > NTMSD3P102R2G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2135317

NTMSD3P102R2G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$0.451
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    NTMSD3P102R2G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85 mOhm @ 3.05A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    730mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    NTMSD3P102R2GOS
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    Schottky Diode (Isolated)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.34A (Ta)
NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS4P01R2

NTMS4P01R2

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD2P102LR2

NTMSD2P102LR2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD6N303R2SG

NTMSD6N303R2SG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD3P102R2

NTMSD3P102R2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS7N03R2

NTMS7N03R2

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD2P102R2

NTMSD2P102R2

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD3P303R2G

NTMSD3P303R2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD2P102R2SG

NTMSD2P102R2SG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD6N303R2G

NTMSD6N303R2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS7N03R2G

NTMS7N03R2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS4939NR2G

NTMS4939NR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMS4937NR2G

NTMS4937NR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMSD3P102R2SG

NTMSD3P102R2SG

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden