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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > DMG4511SK4-13

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DMG4511SK4-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMG4511SK4-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMG4511SK4-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-4L
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

1.54W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Andere Namen

DMG4511SK4-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.7nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel, Common Drain
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

35V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.3A, 5A
Basisteilenummer

DMG4511

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Das Folgende sind "DMG4511SK4-13" -Einziper.

DMG4932LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4712SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4413LSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4822SSDQ-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4710SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4407SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4496SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4466SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4406LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4435SSS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LFG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4800LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4468LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4812SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4822SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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