SIA950DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIA950DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIA950DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Leistung - max

7W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Andere Namen

SIA950DJ-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

190V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 190V 950mA 7W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

950mA
Basisteilenummer

SIA950

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Das Folgende sind "SIA950DJ-T1-GE3" -Einziper.

SIA915DJ-T4-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SIA950DJ-T1-GE3

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