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SIAA00DJ-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SIAA00DJ-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 25V
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SIAA00DJ-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® SC-70-6
Andere Namen

SIAA00DJ-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 20.1A (Ta), 40A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20.1A (Ta), 40A (Tc)

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SIAERO+-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL FOR AERO+

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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