SQD50N10-8M9L_GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SQD50N10-8M9L_GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHAN 100V TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SQD50N10-8M9L_GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

136W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

SQD50N10-8M9L_GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "SQD50N10-8M9L_GE3" -Einziper.

SQD50P06-15L_GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SQD50N10-8M9L_GE3

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