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1961527SQD50P03-07_GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P03-07_GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQD50P03-07_GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252AA
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    136W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5490pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    146nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    50A (Tc)
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD70140EL_GE3

SQD70140EL_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N06-09L_GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A

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