Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SQD97N06-6M3L_GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6315236SQD97N06-6M3L_GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD97N06-6M3L_GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2000+
$0.785
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SQD97N06-6M3L_GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    136W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SQD97N06-6M3L-GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6060pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    97A (Tc)
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD70140EL_GE3

SQD70140EL_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden