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507276IXFN26N100P-Bild.IXYS Corporation

IXFN26N100P

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IXFN26N100P
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227B
  • Serie
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 13A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    595W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    11900pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    197nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A (Tc)
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Beschreibung: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N90

IXFN26N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN280N07

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN24N100

IXFN24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Hersteller: IXYS RF
vorrätig
IXFN25N90

IXFN25N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN27N80

IXFN27N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN23N100

IXFN23N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN280N085

IXFN280N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IXFN230N10

IXFN230N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig

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