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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXFN27N80

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2439935

IXFN27N80-Bild.

IXYS Corporation

IXFN27N80

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFN27N80
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXFN27N80.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

520W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Andere Namen

468185
Q1653251
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

Not Applicable
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

400nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

27A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN27N80" -Einziper.

IXFN25N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN30N110P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN260N17T

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN30N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN27N80Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN300N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N90Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N90

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN240N15T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N100F

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Hersteller: IXYS RF

vorrätig

IXFN280N07

Beschreibung: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N100Q3

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN320N17T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN280N085

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN240N25X3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN32N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN24N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN300N20X3

Beschreibung: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXFN26N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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