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922388APT100GN60LDQ4G-Bild.Microsemi

APT100GN60LDQ4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT100GN60LDQ4G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 229A 625W TO264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT100GN60LDQ4G.pdf
    2.APT100GN60LDQ4G.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 100A
  • Testbedingung
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    31ns/310ns
  • Schaltenergie
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264 [L]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    625W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Andere Namen
    APT100GN60LDQ4GMI
    APT100GN60LDQ4GMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    600nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    300A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    229A

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Das Folgende sind "APT100GN60LDQ4G" -Einziper.
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
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