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1871201APT100GT120JU2-Bild.Microsemi

APT100GT120JU2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT100GT120JU2
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 140A 480W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT100GT120JU2.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    480W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT100GT120JU2MI
    APT100GT120JU2MI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    7.2nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    140A
  • Konfiguration
    Single

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Das Folgende sind "APT100GT120JU2" -Einziper.
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GN120J

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
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RFQ
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Beschreibung: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
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