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APT45GR65B2DU30

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vorrätig
90+
$7.245
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT45GR65B2DU30
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT45GR65B2DU30.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    650V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Testbedingung
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    15ns/100ns
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    80ns
  • Leistung - max
    543W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    28 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    203nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    224A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    118A

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Zahlung
Das Folgende sind "APT45GR65B2DU30" -Einziper.
APT47F60J

APT47F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT44F80L

APT44F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT44GA60B

APT44GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT44F80B2

APT44F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Beschreibung: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Beschreibung: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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