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6244284APT47GA60JD40-Bild.Microsemi Corporation

APT47GA60JD40

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10+
$27.149
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT47GA60JD40
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT47GA60JD40.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    87A
  • Spannung - Durchschlag
    ISOTOP®
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    PT
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    600V
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    283W
  • Polarisation
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    Standard
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    APT47GA60JD40
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    2.5V @ 15V, 47A
  • Eingang
    6.32nF @ 25V
  • Expanded Beschreibung
    IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
  • Beschreibung
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    275µA
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    No
  • Kontakt-Finish
    Single

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Das Folgende sind "APT47GA60JD40" -Einziper.
APT45GR65B

APT45GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Beschreibung: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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