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4827837APT47N60BC3G-Bild.Microsemi

APT47N60BC3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT47N60BC3G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 2.7mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    417W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    APT47N60BC3GMI
    APT47N60BC3GMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7015pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    47A (Tc)
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47F60J

APT47F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT48M80B2

APT48M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT47M60J

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5010JLLU2

APT5010JLLU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Beschreibung: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT48M80L

APT48M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45M100J

APT45M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5010B2LLG

APT5010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT4M120K

APT4M120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT4F120K

APT4F120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT45GR65B

APT45GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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