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APT47N65BC3G-Bild.

Microsemi

APT47N65BC3G

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Spezifikation

Artikelnummer

APT47N65BC3G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT47N65BC3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

417W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7015pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

47A (Tc)

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Das Folgende sind "APT47N65BC3G" -Einziper.

APT5010JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT47N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT5010B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT48M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT4F120K

APT4F120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT4M120K

APT4M120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT47GA60JD40

Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT48M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT45M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT46GA90JD40

Beschreibung: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT47N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT5010JLLU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT47F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT5010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT5010JLLU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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