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3093691APT47F60J-Bild.Microsemi

APT47F60J

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT47F60J
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT47F60J.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    540W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    49A (Tc)

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Das Folgende sind "APT47F60J" -Einziper.
APT47M60J

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Beschreibung: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GR65B

APT45GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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