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APT4F120K

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT4F120K
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT4F120K.pdf
    2.APT4F120K.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    225W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    APT4F120KMI
    APT4F120KMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1385pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1200V 4A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4A (Tc)

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Das Folgende sind "APT4F120K" -Einziper.
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010JLLU3

APT5010JLLU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Beschreibung: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010JVRU3

APT5010JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010JLLU2

APT5010JLLU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5012JN

APT5012JN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010LFLLG

APT5010LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010LLLG

APT5010LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5010JVRU2

APT5010JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Beschreibung: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT5010B2LLG

APT5010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Hersteller: Microsemi
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APT4M120K

APT4M120K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Hersteller: Microsemi
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