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4068760APT6010B2LLG-Bild.Microsemi Corporation

APT6010B2LLG

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vorrätig
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$28.84
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT6010B2LLG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT6010B2LLG.pdf
  • Spannung - Prüfung
    6710pF @ 25V
  • Spannung - Durchschlag
    T-MAX™ [B2]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    100 mOhm @ 27A, 10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • RoHS Status
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54A (Tc)
  • Polarisation
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    APT6010B2LLG
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    150nC @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • FET-Merkmal
    N-Channel
  • Expanded Beschreibung
    N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    600V
  • Kapazitätsverhältnis
    690W (Tc)

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Das Folgende sind "APT6010B2LLG" -Einziper.
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5SM170S

APT5SM170S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT6040BNG

APT6040BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5SM170B

APT5SM170B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6030BN

APT6030BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6040BN

APT6040BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100SG

APT60D100SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT5F100K

APT5F100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50J

APT58M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT58M80J

APT58M80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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