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APT6030BN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT6030BN
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247AD
  • Serie
    POWER MOS IV®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    360W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    210nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A (Tc)
APT5F100K

APT5F100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60D100SG

APT60D100SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60D30BG

APT60D30BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60D120SG

APT60D120SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT5SM170S

APT5SM170S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT6040BN

APT6040BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT6040BNG

APT6040BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT6013JLL

APT6013JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60D20BG

APT60D20BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT60D100BG

APT60D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60D120BG

APT60D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT5SM170B

APT5SM170B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT58M80J

APT58M80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT60D20LCTG

APT60D20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig

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