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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > APT60D100LCTG

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APT60D100LCTG-Bild.

Microsemi

APT60D100LCTG

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

50+

$10.184

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT60D100LCTG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT60D100LCTG.pdf
2.APT60D100LCTG.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 60A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1000V
Supplier Device-Gehäuse

TO-264 [L]
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

280ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 175°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1000V 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

250µA @ 1000V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

60A

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Das Folgende sind "APT60D100LCTG" -Einziper.

APT60D120SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT6010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT60D30BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT5SM170S

APT5SM170S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D30LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 300V 60A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6030BN

APT6030BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D20BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT6040BN

APT6040BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D40BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6017LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT60D40LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 60A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6017LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6040BNG

APT6040BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D100SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT6013LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT60D20LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6013JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

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