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2694496APT6013JLL-Bild.Microsemi Corporation

APT6013JLL

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$25.932
1000+
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2500+
$23.763
5000+
$23.103
10000+
$22.631
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT6013JLL
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT6013JLL.pdf
  • Spannung - Prüfung
    5630pF @ 25V
  • Spannung - Durchschlag
    ISOTOP®
  • VGS (th) (Max) @ Id
    130 mOhm @ 19.5A, 10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • RoHS Status
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39A
  • Polarisation
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    APT6013JLL
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    130nC @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • FET-Merkmal
    N-Channel
  • Expanded Beschreibung
    N-Channel 600V 39A 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    600V
  • Kapazitätsverhältnis
    460W (Tc)

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Das Folgende sind "APT6013JLL" -Einziper.
APT6040BNG

APT6040BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M80J

APT58M80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5F100K

APT5F100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5SM170B

APT5SM170B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60D100SG

APT60D100SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT60D120BG

APT60D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6030BN

APT6030BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT5SM170S

APT5SM170S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT6040BN

APT6040BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
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