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APT6017LFLLG-Bild.

Microsemi

APT6017LFLLG

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Spezifikation

Artikelnummer

APT6017LFLLG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT6017LFLLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-264 [L]
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)

500W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Das Folgende sind "APT6017LFLLG" -Einziper.

APT60D100SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT5F100K

APT5F100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT5SM170S

APT5SM170S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6040BN

APT6040BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D20BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT60D120SG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT58M50JU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6030BN

APT6030BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D100LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6013JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT5SM170B

APT5SM170B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT58M80J

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6010B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT6017LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT6013LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT58MJ50J

APT58MJ50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6040BNG

APT6040BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT58M50JU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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