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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT70GR120J
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6710166APT70GR120J-Bild.Microsemi

APT70GR120J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT70GR120J
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT70GR120J.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 70A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    543W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    7.26nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    112A
  • Konfiguration
    Single

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Zahlung
Das Folgende sind "APT70GR120J" -Einziper.
APT70GR65B

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70SM70S

APT70SM70S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70SM70B

APT70SM70B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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