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APT70SM70J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT70SM70J
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    POWER MOSFET - SIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Technologie
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 32.5A, 20V
  • Verlustleistung (max)
    165W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 49A (Tc) 165W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    49A (Tc)

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Das Folgende sind "APT70SM70J" -Einziper.
APT70GR65B

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70SM70B

APT70SM70B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT70SM70S

APT70SM70S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75F50B2

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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