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4675438

APT70SM70S

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Spezifikation

Artikelnummer

APT70SM70S
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER MOSFET - SIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT70SM70S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse

D3Pak
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 32.5A, 20V
Verlustleistung (max)

220W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

700V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 700V 65A (Tc) 220W (Tc) Surface Mount D3Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

65A (Tc)

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Das Folgende sind "APT70SM70S" -Einziper.

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT6M100K

APT6M100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75DL120HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1200V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70SM70J

APT70SM70J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT75DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70SM70B

APT70SM70B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120J

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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