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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R6030MNX

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6814144

LAPIS Semiconductor

R6030MNX

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Spezifikation

Artikelnummer

R6030MNX
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6030MNX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FM
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

90W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 30A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "R6030MNX" -Einziper.

R6030KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031225HSYA

R6031225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030KNXC7

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031235ESYA

R6031235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6035ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031425HSYA

R6031425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6035ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031435ESYA

R6031435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031035ESYA

R6031035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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